國家機關事務管理局、中共中央直屬機關事務管理局聯合印發了《關于做好中央和國家機關新能源汽車推廣使用工作的通知》

總投資30億元！盤古半導體多芯片高密度板級扇出先進封裝項目喜封金頂

國家知識產權局信息顯示，蘇州高視半導體技術有限公司申請一項名為基于晶圓檢測系統的晶圓檢測方法及其相關產品的專利，公開號 C

德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠

10月26日，總投資10億元的普創先進半導體產業園項目已全面竣工投產。東莞日報消息稱，該項目由東莞普萊信智能技術有限公司籌劃，

據青島自貿片區消息，10月24日，青島自貿片區與工銀資本管理有限公司、青島城投創業投資有限公司、青島市引導基金投資有限公司、

國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項名為光刻機焦距監控方法、焦距監控掩膜版及其形成方法的專

國家知識產權局信息顯示，蘇州敏芯微電子技術股份有限公司申請一項名為力傳感器的封裝結構及其制造方法的專利，公開號 CN 118817

華燦光電就前三季度業績變動原因說明稱，營收增長主要系報告期內加大市場開拓，出貨量增加所致。

蜂巢能源（SVOLT）將在2025年1月前結束蜂巢能源科技（歐洲）和德國子公司的運營，裁員人數不詳。

遠山半導體提供的DFN封裝形式的Gan HEMT器件實現了1200V高耐壓，并且展現出了極低的界面電容和優良的熱阻 ，極快的開關速度，同時克服了氮化鎵器件容易發生的電流崩塌問題。測試結果顯示各項性能指標均達到行業領先水平，意味著其產品在性能、質量和可靠性方面具備優勢，有更強的市場競爭力。

泛半導體產業園位于武漢經開綜合保稅區，由經開產投集團承建，項目總投資約3.4億元。

杭州鎵仁半導體實現氧化鎵晶體生長技術重大突破

2024年11月17日，STR China Seminar 2024--仿真模擬研討會將于蘇州市國際博覽中心G館107室。

10月24日，德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已開始生產基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體。隨著會津工廠的投產，加上德州

10月22日上午，華瑞微滁州總部召開了一期B擴產項目啟動會，公司董事長劉海波主持會議，分管領導及各部門負責人出席了會議。董事

天眼查顯示，華海清科股份有限公司驅動機構的保濕控制方法、晶圓清洗裝置、存儲介質專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

天眼查顯示，北京北方華創微電子裝備有限公司一種進氣管的清洗方法及半導體工藝設備專利公布，申請公布日為2024年9月24日，申請

10月21日下午，2024創新海門共贏未來海門新一代信息技術產業投資促進功能區揭牌儀式在謇公湖科創中心成功舉辦。2024年4月，海門

美國麻省理工學院團隊在電子制造領域取得一項重要進展：他們利用全3D打印技術，制作出了不需要半導體材料的有源電子設備器件。