國家知識產權局信息顯示，重慶芯聯微電子有限公司申請一項名為掩膜版圖形及其優化方法的專利，公開號 CN 118838110 A，申請日期

10月29日，由東海投資與淄博市臨淄區共同出資設立的淄博東海新驅動創業投資合伙企業（有限合伙）完成基金備案，總規模2億元。東

據蘇州高新區消息，10月29日，冠禮全國總部及產業化基地項目在蘇州高新區正式開工奠基。該項目由蘇州冠禮科技有限公司投資建設，

國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為半導體結構及制備方法的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023

國家知識產權局信息顯示，深圳市聯微半導體設備有限公司取得一項名為定位裝置的專利，授權公告號CN 221885077 U，申請日期為2024

團聚金剛石技術是中機新材在金剛石減薄砂輪領域的一大創新。通過這一技術，能夠有效地解決微粉磨料的軟團聚問題，提高混料的均勻性。

11月18-21日，IFWS2024&SSLCHINA2024、先進半導體技術應用創新展（CASTAS）將在蘇州國際博覽中心舉辦。目前，“氮化物半導體固態紫外技術及應用分會”最新報告日程正式出爐。

河北：推動新一代信息技術產業高質量發展

美國芝加哥大學普利茲克分子工程學院團隊展示了界面生物電子學領域的新突破：他們創造出具有強大半導體功能的新型水凝膠材料。

10月28日，光谷機器人生態創新中心（以下簡稱中心）啟動，華中科技大學、武漢科技大學、武漢工程大學等首批12所高校機器人研發團

熱烈慶祝盛美臨港研發與制造中心迎來里程碑時刻——首臺量測設備 KLA-Tencor Surfscan SP7入駐研發潔凈室！

作為IFWS的重要技術分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐！

英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，這種晶圓直徑為300mm，厚度為20μm。厚度僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學高通光學實驗室、高武半導體，小米通訊技術，匯芯通信/國家5G中高頻器件創新中心，中國科學技術大學、云塔電子，能訊高能半導體，中國科學院半導體研究所，九峰山實驗室，江南大學，中國科學院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218

國家知識產權局信息顯示，漢斯半導體（江蘇）有限公司取得一項名為一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置的專利，授權公告號 CN 221871

壓力之下，聞泰科技如何在逆境中找到破局之道，不僅穩固了市場地位，更實現了業績的飛躍？

拜登政府敲定針對美國個人和公司投資中國先進技術的限制，其中包括半導體、量子計算和人工智能（AI）。新規旨在防止美國資本和專業知識被用來幫助中國開發先進科技關鍵技術。

由于先進封裝可以大幅提高芯片良率、降低設計復雜度及減少芯片制造成本，已成為美日對華半導體競爭的最前沿。

工業和信息化部、國家發展改革委、財政部、國務院國資委、市場監管總局、國家數據局等六部門近日聯合印發通知，部署開展2024年度