“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會”日程出爐，敬請關注！

國家知識產權局信息顯示，上海漢虹精密機械有限公司申請一項名為一種單晶爐碳化硅爐專用的KF40電動蝶閥的專利，公開號 CN 118881

國家知識產權局信息顯示，山東粵海金半導體科技有限公司取得一項名為種專用的碳化硅襯底Wafer倒角裝置的專利，授權公告號CN 2218

PVT單晶生長設備、HVPE單晶生長設備、碳化硅高溫氧化設備11年，11款產品。經過10多年的發展，山東力冠微電子裝備有限公司已成為

晶馳機電生產基地項目總投資2億元晶馳機電是浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院孵化企業

國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置的專利，公開號CN 118756340

晶盛機電在回答投資者提問時表示，是一家國內領先的專注于先進材料、先進裝備的高新技術企業。在先進裝備領域，公司光伏裝備取得

張北縣年產8億件高端碳化硅半導體研發基地項目建設“不打烊”。

PowerAmerica執行董事兼首席技術官Victor Veliadis將出席論壇并做大會報告，分享“加速碳化硅芯片和功率電子的商業化進程”，并將在專題技術分會上，繼續分享“在硅晶圓廠中制造SiC”的研究成果。

中電四公司成功中標北京天科合達半導體股份有限公司“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目（1#生產廠房等12項）”，中標金額：1159022898.60元。

天眼查知識產權信息顯示，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法，公開號 CN2

9月5日，中國電科在官微透露，中國電科48所自主研發的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再次獲得突破。據悉，此次全新升級的8英寸碳化

國家第三代半導體技術創新中心（南京）歷時 4 年自主研發，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現我國在該領域的首次突破。

導體項目、安力科技第三代半導體及大硅片襯底研磨液項目、全芯微電子半導體高端設備研發制造基地項目、遼寧恩微芯片封裝測試項目、雅克科技球形硅微粉、球形氧化鋁項目，日本航空電子高端電子元器件項目、露笑科技第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目和大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目迎來新進展。

天眼查顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司近日取得一項名為一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底的專利，授

業內人士表示，預計未來兩年中國碳化硅（SiC）芯片價格將下降高達30%。

7月25日，北京經濟技術開發區（北京亦莊）碳化硅功率芯片IDM企業北京芯合半導體有限公司（以下簡稱芯合半導體）發布自主研發生產

5月31日，歐盟委員會批準意大利政府對意法半導體總計20億歐元的補貼計劃，用于一項總投資50億歐元的碳化硅微芯片制造工廠。這是

6月22日-23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南召開。 “碳化硅晶體技術及其應用”平行論壇上，實力派嘉賓代表們深入研討，分享相關技術最新研究成果，探討發展趨勢與前沿，觀點交互，碰撞激發新的思路，共同促進產業技術發展。

年產36萬片碳化硅晶圓的長飛先進武漢基地正式迎來主體結構封頂的關鍵時刻！