在近期落幕的第 37 屆功率半導體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學電氣工程學院電力電子器件實驗室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團隊共有四篇論文被選為大會全體報告（Oral Session）。該核心報告數量在全球所有高校、研究機構和企業中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團隊在寬禁帶功率半導體領域的卓越科研實力。
基本半導體（中山）有限公司（以下簡稱“中山基本”）成功競得火炬高新區民眾街道深中合作區22畝地塊，這標志著中山首個碳化硅模塊封裝產線建設項目正式落戶火炬高新區。
來自濟南的半導體企業——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產業新聞》頒發的“半導體電子材料”類金獎。這是中國企業在該獎項設立31年以來的首次問鼎
市場對高效、清潔和可持續能源解決方案的需求日益增長，這推動了功率半導體行業的發展，也要求人們更加關注先進材料。在各種先進
6月4日，中國領先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應商瞻芯電子，在第37屆國際功率半導體器件和集成電路研討會（ISPSD2025）
合盛硅業股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發12英寸（300mm）導電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動切、磨、拋等加工技術的研究。
6月2日消息，據《日經新聞》近日報道，隨著電動汽車市場增長放緩，以及中國碳化硅（SiC）廠商持續增產，導致了碳化硅市場供應過
隨兩大巨頭退出碳化硅市場，環球晶、漢磊、嘉晶等中國臺灣碳化硅廠競爭對手又少一家，新一波轉單契機可期。
5月28日，位于湖北光谷科學島的長飛先進武漢基地投產，其首片6英寸碳化硅晶圓下線。
據報道，日前 ，新加坡科技研究局（下簡稱A-STAR）推出全球首個工業級200毫米碳化硅開放研發生產線。A-STAR是新加坡政府下屬的主
深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）遞交上市申請
浙江瀚薪芯昊半導體有限公司在浙江麗水投資建設的“新建碳化硅封測建設項目”主體結構今日（5月27日）正式封頂。
碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達基站、5G通訊、智能電網等眾多前沿領域展現出極為廣闊的應用前景，成為推動這些行業
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關鍵技術新進展》的主題報告，報告將從產品結構、制造工藝、可靠性、典型應用等方面出發，介紹當下SiC功率MOSFET器件關鍵技術的最新進展，并對未來的發展趨勢做出展望，敬請關注！
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復旦大學上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會議，并帶來《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究》的主題報告，將分享最新研究進展，敬請關注！
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究》的大會報告，分享最新研究成果，敬請關注！
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術的領導者，始終以卓越
近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域
天眼查顯示，泰科天潤半導體科技(北京)有限公司一種超結快恢復平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年3月7
近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ