在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國(guó)際會(huì)議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（PEDL）取得了令人矚目的成績(jī)。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會(huì)全體報(bào)告（Oral Session）。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中山基本”）成功競(jìng)得火炬高新區(qū)民眾街道深中合作區(qū)22畝地塊，這標(biāo)志著中山首個(gè)碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目正式落戶火炬高新區(qū)。

來(lái)自濟(jì)南的半導(dǎo)體企業(yè)——山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術(shù)上取得的革命性突破，榮獲由日本權(quán)威半導(dǎo)體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導(dǎo)體電子材料”類金獎(jiǎng)。這是中國(guó)企業(yè)在該獎(jiǎng)項(xiàng)設(shè)立31年以來(lái)的首次問(wèn)鼎

市場(chǎng)對(duì)高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長(zhǎng)，這推動(dòng)了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也要求人們更加關(guān)注先進(jìn)材料。在各種先進(jìn)

6月4日，中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子，在第37屆國(guó)際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會(huì)（ISPSD2025）

合盛硅業(yè)股份有限公司下屬單位 寧波合盛新材料有限公司成功研發(fā)12英寸（300mm）導(dǎo)電型碳化硅（SiC）晶體，并啟動(dòng)切、磨、拋等加工技術(shù)的研究。

6月2日消息，據(jù)《日經(jīng)新聞》近日?qǐng)?bào)道，隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩，以及中國(guó)碳化硅（SiC）廠商持續(xù)增產(chǎn)，導(dǎo)致了碳化硅市場(chǎng)供應(yīng)過(guò)

隨兩大巨頭退出碳化硅市場(chǎng)，環(huán)球晶、漢磊、嘉晶等中國(guó)臺(tái)灣碳化硅廠競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手又少一家，新一波轉(zhuǎn)單契機(jī)可期。

5月28日，位于湖北光谷科學(xué)島的長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地投產(chǎn)，其首片6英寸碳化硅晶圓下線。

據(jù)報(bào)道，日前 ，新加坡科技研究局（下簡(jiǎn)稱A-STAR）推出全球首個(gè)工業(yè)級(jí)200毫米碳化硅開(kāi)放研發(fā)生產(chǎn)線。A-STAR是新加坡政府下屬的主

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）遞交上市申請(qǐng)

浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在浙江麗水投資建設(shè)的“新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)今日（5月27日）正式封頂。

碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達(dá)基站、5G通訊、智能電網(wǎng)等眾多前沿領(lǐng)域展現(xiàn)出極為廣闊的應(yīng)用前景，成為推動(dòng)這些行業(yè)

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對(duì)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)做出展望，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會(huì)議，并帶來(lái)《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對(duì)比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請(qǐng)關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測(cè)試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來(lái)《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測(cè)量方法研究》的大會(huì)報(bào)告，分享最新研究成果，敬請(qǐng)關(guān)注！

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域

天眼查顯示，泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請(qǐng)公布日為2025年3月7

近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺(tái)，該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片（型號(hào)：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ